فلش مموری کینگ‌ استار مدل AROMA KS201 ظرفیت 64 گیگابایت

معماری حافظه فلش (فلش کینگ‌ استار AROMAKS201 ظرفیت 64 )

معماری حافظه فلش شامل یک آرایه حافظه است که با تعداد زیادی سلول های فلش جمع شده است. سلول اصلی حافظه فلش شامل یک ترانزیستور ذخیره سازی با یک دروازه کنترل و دروازه شناور است که از بقیه ترانزیستور توسط یک ماده دی الکتریک نازک یا لایه اکسید عایق شده است. دروازه شناور بار الکتریکی را ذخیره می کند و جریان الکتریکی را کنترل می کند.

سه نوع مختلف تراشه فلش در بازار وجود دارد:

Single Layer Cell (SLC)

این نوع حافظه در هر سلول یک بیت دارد و از نظر قیمت گران ترین نوع است و از قدرت کمتری برای ذخیره اطلاعات برخوردار است اما قدرت ارسال اطلاعات سریعتری نسبت به بقیه دارد. این نوع حافظه برای برنامه های صنعتی و نگه داشتن اطلاعات بسیار مهم مناسب است.

Multi Layer Cell (MLC)

این نوع حافظه در هر سلول دو مقدار بیت دارد، به عبارتی دو برابر نوع قبلی اطلاعات ذخیره می کند. این نوع فلش در حافظه های مصرفی معمولی استفاده می شود و و ارزان تر از نوع SLC می باشند که نسبت به آن دارای محدودیت استقامتی کمتر و چرخه نوشتن و پاک کردن کوچکتری است.

Triple Layer Cell (TLC)

این مدل همانطور که از نام پیداست سه بیت در هر سلول است. از نظر قیمت ارزان ترین نوع فلش است و تراکم بالایی دارد. با این حال سرعت خواندن و نوشتن و استقامت آن کمتر از انواع دیگر است. به طور معمول این نوع فلش برای اطلاعات محدود و غیر مهم استفاده می شوند.

ادامه مطلب در بلاگ ایده آل: https://blog.idehal.org/%D9%81%D9%84%D8%B4-%D9%85%D9%85%D9%88%D8%B1%DB%8C-%DA%86%DB%8C%D8%B3%D8%AA%D8%9F/